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信息描述
双向可控硅-触发电路
SCR3与周围元件构成普通移相触发电路 可控硅BT134W-600E,其原理这里从略。
SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V) 可控硅,SCR3选用BTl36,即600V的双向可控硅。
本电路如用于感性负载,应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅
双向可控硅-工作原理
Kt16P单相可控硅调压/调功触发板
触发导通 在控制极G上加入正向电压时因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通 可控硅,导致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快
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